核心工艺特点 镀层材质以铜、镍、金、锡为主，适配不同电子场景需求。 对镀层均匀性、厚度精度要求，通常需控制在微米级。 需结合载板材质（如陶瓷、树脂、硅）定制前处理和电镀参数。
面板级加工：扇出型封装常采用面板级封装（FOPLP）方式，如盛美上海的 Ultra ECP ap-p 面板级电镀设备可加工尺寸高达 515x510 毫米的面板，相比传统晶圆级封装，能提高生产效率，降低成本。 高精度要求：需满足高密度互连（HDI）、超细线路 / 焊盘（线宽 / 线距常＜20μm）的要求，对镀层均匀性、致密度、附着力、纯度等方面要求，例如铜镀层孔隙率需≤1 个 /cm²。 复杂结构处理：对于埋入式扇出型封装结构，可能存在深宽比较大的通孔，电镀时需要特殊工艺处理，以避免产生空洞等缺陷。
电子载板电镀加工主流工艺类型 电解电镀：适用于大批量、高厚度镀层需求（如铜镀层≥3μm），成本较低，效率高。 化学镀：无需通电，镀层均匀性好，适配复杂结构载板（如盲孔、细线路），常用于打底镀层。 脉冲电镀：减少镀层晶粒大小，提升硬度和耐磨性，适配高频、高功率电子载板。
半加成工艺载板电镀是一种用于制造高精度电子载板的工艺方法，在半导体封装等领域应用广泛。以下是关于它的详细介绍： 工艺原理：半加成法（SAP）的核心是通过 “逐步沉积铜层” 形成电路。先在绝缘基板表面制备超薄导电层，即种子层，再通过光刻技术定义线路图形，对图形区域电镀加厚铜层，去除多余部分后形成完整电路。改良型半加成法（mSAP）则是在基板上预先贴合 3-9μm 的超薄低轮廓铜箔作为基铜，再进行后续操作。 工艺流程 基材准备：使用表面平整的超薄铜箔基板或无铜基材，如 1-2μm 厚铜层的基板或 ABF 薄膜等。 化学沉铜：通过化学沉积在基材表面形成 0.3-0.8μm 的薄铜层，作为导电基底，即种子层。 图形电镀铜：对露出的种子层区域进行电镀加厚，使线路达到设计厚度，通常至 5-15μm，形成导线主体。 去胶与蚀刻：移除光刻胶或干膜，然后蚀刻掉未被电镀覆盖的薄种子层铜，由于种子层厚度极薄，蚀刻侧蚀极小。 表面处理：进行沉金、OSP、沉锡等表面处理，以满足后续封装和焊接等工艺的要求。